设为首页 设为首页 加入收藏 加入收藏 网站地图
[请登陆][免费注册]
搜 索

您的位置 :首页  新闻半导体
TSMC称10nm已进入量产 第一代7nm芯片良率达76%
                   0
出自:超能网

在三星宣布10nm、7nm节点之外会推出8nm、6nm优化版工艺之后,TSMC日前也公布了该公司的一些工艺进展情况,10nm工艺已经进入量产阶段,没多少秘密可说了,但是未来的7nm节点看点就多了。TSMC表示第一代7nm工艺制造出的256Mbit SRAM芯片良率已达76%,ARM公司据说正在使用新的设计制造4GHz ARM处理器了此外,TSMC的7nm也会发展多代产品,但是增强版7nm工艺才会使用EUV工艺,第一代并不会。

TSMC、三星以及Intel都会量产10nm工艺,不过10nm工艺主要优势是低功耗,而且从TSMC和三星的进度来看,他们的10nm工艺过渡意味浓厚,2018年就会被7nm工艺接力取代了,而7nm被公认为是高性能工艺,影响会比10nm工艺深远得多,也是各大晶圆厂争夺的重点,跳过10nm工艺的GlobalFoundries及大陆的中芯国际都会投入7nm之争中。

根据TSMC最近公布的一些数据,汇总下他们在7nm节点的一些进展和动向:

·TSMC此前说他们的7nm工艺良率“健康”,这次又给出了具体的证据,7nm生产的256Mbit SRAM芯片良率达到了76%,这个良率确实是很高的。

·7nm表现如此之好,以致于使用新的设计流程可以制造出频率超过4GHz的Cortex-A72处理器。作为参考的是,目前16nm工艺下A72/A73核心频率普遍在2.5GHz以内,华为、联发科高端处理器莫不如此,高通自研的Kryo架构频率也是如此。

·TSMC的7nm工艺下个月开始风险试产,5月份预计会有12款芯片流片。

·目前的7nm工艺还是第一代,并不会使用EUV工艺,而使用EUV工艺的是增强版7nm工艺,TSMC表示该工艺相比初代7nm可以提升10%的性能或者15%的能效,这种高端工艺主要是给苹果这样的客户使用的。

·TSMC预计增强版7nm工艺会在2019年大规模量产。

 

 

0
                   0
文章收入时间: 2017-03-21
 
SEMI简介 | About SEMI | 联系我们 | Privacy Policy | semi.org
上海集成电路协会 | 中国电子报 | 赛迪网半导体 | 电子产品世界 | 中电网 | 中国电子材料网
Copyright © 2017 SEMI®. All rights reserved.
沪ICP备06022522号
沪公网安备31011502000679号