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泛林集团推出电介质原子层刻蚀工艺 支持先进逻辑器件制造
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出自:泛林集团

美国加利福尼亚州弗里蒙特市——全球领先的半导体设备制造商泛林集团公司今天宣布,公司推出了基于 Flex™ 电介质刻蚀系统的原子层刻蚀 (ALE) 技术,从而进一步扩大了其旗下的ALE产品家族。

得益于泛林集团先进的混合模式脉冲 (AMMP) 技术,新型 ALE 工艺可在原子层面进行控制,以应对逻辑器件尺寸缩小至 10 nm 及以下技术节点所面临的关键挑战。最新的 Flex 系统在业界率先使用等离子体增强的 ALE 技术进行电介质膜刻蚀,并已被用作逻辑器件大批量生产的标配设备。

泛林集团刻蚀产品事业部副总裁 Vahid Vahedi 表示:“从晶体管和接触孔的制造到金属互联的成形,逻辑器件制造商对精度不断提出新要求,以满足10nm 及以下技术节点的需要。对于一些使用刻蚀工艺来帮助制造关键结构的器件应用,如自对准接触孔等,传统技术无法提供足够精准的工艺控制,以满足现阶段严格的产品规格要求。我们最新的 Flex 产品采用电介质原子层刻蚀,以达到原子级别的精准工艺控制,并且已经通过量产验证,能够满足客户的关键需求。”

为进一步缩小逻辑器件尺寸,芯片制造商正采取新的集成方案,例如使用自对准接触孔 (SAC) 来解决 RC 延迟问题。因此,接触孔刻蚀已成为最关键的工艺之一,直接影响晶片产品良率和晶体管性能。为了能以高保真度制造关键器件结构,刻蚀工艺需要选择性超高的定向(各向异性)技术,同时还要保证量产所需的高生产效率。

泛林 Flex 电介质刻蚀系统为下一代逻辑器件和晶圆代工生产提供业界最先进的电容耦合等离子体 (CCP) 反应器,该反应器采用独特的小体积设计,以提供可重复的结果。最新的Flex系统采用了专有的 AMMP 技术,可对电介质膜,如二氧化硅 (SiO2) 进行原子层刻蚀。与过去的电介质刻蚀技术相比,该技术通过原子层级别的工艺控制,将选择比提升了两倍。
 

 

 

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文章收入时间: 2016-09-07
 
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