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IC设计与制造
赛普拉斯40nm eCT Flash MCU采用UMC 工艺生产
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出自:SEMI中国

赛普拉斯半导体和联华电子12月19日宣布,赛普拉斯由UMC代工的专有40nm嵌入式电荷捕获 (eCTTM) 闪存微控制器(MCU)已开始大单出货,该MCU结合赛普拉斯40nm eCTTM闪存以及UMC 40nm低功耗逻辑工艺,具有业内最小闪存单元尺寸,适合高性能应用。这标志着赛普拉斯闪存技术和UMC 40nm低功耗(40LP)逻辑工艺的多年合作达到了一个全新高度。40nm eCT Flash 单元尺寸仅为0.053μm2,比最接近的竞品约小25%。该微型eCT闪存具备8纳秒的随机存储速度和30微秒的word-programming速度,专为最苛刻的高性能应用而设计。此外,它还可满足严格的汽车级可靠性要求。

赛普拉斯存储器产品事业部高级副总裁Sam Geha 表示:“这对于 eCT技术而言是一个重要的里程碑,也是赛普拉斯和UMC成功合作的一个证明。截至到今年年底,我们将发运超过700万件内置eCT闪存的MCU。赛普拉斯致力于打造业内单元尺寸最小的嵌入式闪存技术。正是基于我们的存储专长以及UMC的工艺专长,我们得以实现了这一目标;同时,我们还将mask adder做到了最小化,并保留了逻辑器件模板。除此以外,我们还集成了汽车级可靠性和性能,从而使eCT成为赛普拉斯新一代TraveoTM车用MCU的关键组件。”

UMC企业营销高级副总裁S.C. Chien表示:“UMC和赛普拉斯拥有一段悠久、跨越多个技术时代的研发合作历史。我们的40LP是一项成熟的量产工艺,其优异的缺陷密度和良率得到了众多市场的青睐。与更小的工艺节点相比,40LP大大降低了成本,同时仍能满足客户的功耗和性能要求。UMC在台湾、新加坡和中国大陆均设有支持40LP的代工厂,因此能帮助客户降低地域风险。我们很高兴将40LP工艺的优势应用于赛普拉斯的eCT技术,并为其MCU带来差异化竞争优势。”

eCT具备小尺寸、高性能和高可靠性,因此成为汽车、工业和消费等众多应用的理想解决方案。此外,小单元尺寸的可扩展性意味着eCT MCU产品路线图将能够拓展到极具竞争力的28nm乃至更小尺寸。
 

 

 

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文章收入时间: 2016-12-20
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