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IC设计与制造
华力微基于SONOS的55纳米闪存试产
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出自:SEMI中国

日前,赛普拉斯与华力微共同宣布,基于华力 55纳米低功耗工艺技术和赛普拉斯SONOS (氧化硅氮氧化硅)嵌入式闪存知识产权相结合,为闪存产品树立了一个新的里程碑。华力的客户已经开始使用这项技术进行低功耗嵌入式闪存产品的试生产,针对蓝牙低功耗和物联网应用。赛普拉斯高耐用性、可扩展的SONOS嵌入式闪存工艺针对低功耗需求进行了优化,使其成为微控制器(MCU)和物联网(IoT)应用的理想选择。2017年下半年,华力的客户即可采用该技术和设计IP进行全面量产。
 
赛普拉斯的SONOS嵌入式非易失性存储器(NVM) 工艺与其他嵌入式NVM技术相比具有显著的优势。SONOS拥有更小的存储单元尺寸、更低的生产成本,与其他嵌入式闪存技术需要9至12层额外的掩膜不同,SONOS技术只需要在原有CMOS工艺上增加3层。SONOS本身具有高良率和极佳的可靠性、10年的数据保持、20万次编程/擦写寿命,以及强大的抗软错误能力。赛普拉斯已经展示了将SONOS延伸到40纳米和28纳米节点的能力,以加速未来IP的开发。
 
华力副总裁舒奇表示:“物联网应用对低成本、低功耗嵌入式闪存的需求不断提升,我们非常高兴能够达到这个里程碑,同时我们也希望能够实现迅速量产的目标,以满足客户的需求。赛普拉斯SONOS嵌入式非易失性存储器技术具备高性价比和高良率的特性,其可靠性和高效性对于量产低功耗嵌入式闪存产品十分理想。”
 
赛普拉斯存储器产品事业部资深副总Sam Geha表示: “华力坚实的55纳米低功耗工艺技术和生产经验与我们高性能、具备领先可靠性的SONOS闪存技术的结合,确保了这些低功耗嵌入式闪存产品顺利实现试产。我们与华力的合作再次证明了,SONOS技术将通过赛普拉斯与世界领先代工厂的合作而成为嵌入式非易失性存储器平台的最佳选择,同时也展示了赛普拉斯致力于解决新兴物联网应用所面临的功耗问题的决心。”
 

 

 

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文章收入时间: 2017-04-17
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