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IC设计与制造
华虹宏力超级结项目荣获2016年度浦东新区科技进步奖一等奖
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出自:SEMI中国

浦东新区区委、区政府于11月1日召开“2015~2016年度浦东新区科技奖励大会”。全球领先的200mm纯晶圆代工厂── 华虹半导体有限公司之全资子公司上海华虹宏力半导体制造有限公司(“华虹宏力”)的“高压大功率深槽型超级结MOSFET技术开发”项目荣获2016年度浦东新区科技进步奖一等奖。


获奖证书

华虹宏力是全球领先的功率分立器件200mm代工厂,拥有15年的功率器件稳定量产经验。功率半导体作为开关电源、马达驱动、LED驱动、新能源汽车和智能电网等电源系统的核心器件,是降低功耗的关键,随着绿色能源的呼声日益高涨,功率器件的需求必将大幅提升。华虹宏力现已推出第三代深沟槽超级结(Deep Trench Super Junction,DT-SJ)工艺平台,技术参数达业界一流水平,它的超低导通电阻,超高开关速度的特性可以帮助客户实现超低功耗和超小体积的电源管理系统,高度契合当前热门的大功率快充电源、LED照明电源以及新能源汽车充电桩的应用需求,并且在传统的PC电源及云服务器电源方面也有优异的表现。


项目第一完成人王飞(前排中间)代表华虹宏力公司领奖
 

 

 

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文章收入时间: 2017-11-02
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