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IC设计与制造
Synopsys数字和模拟定制设计平台通过TSMC 5nm工艺技术认证
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出自:大半导体产业网

双方的密切协作使得设计人员在最先进设计上获得工艺带来的功率、性能和面积优势
重点:
· 经优化的IC Compiler II,在TSMC的最新5nm工艺技术上具有低功耗、高设计利用率的特点,最大程度发挥新工艺节点的优势。
· Synopsys Design Platform的高级功能可支持低电压运行的先进模型。
· 增强HSPICE、CustomSim和FineSim中5nm FinFET器件的电路仿真模型,Custom Compiler支持新的版图设计规则。

Synopsys(NASDAQ: SNPS)近日宣布, Synopsys 设计平台获得TSMC最新版且最先进的5nm工艺技术认证,可用于客户先期设计。通过与TSMC的早期密切协作,IC Compiler ™ II 的布局及布线解决方案采用下一代布局和合法化技术,最大限度地提高可布线性和总体设计利用率。借助重要的设计技术协同优化工作,通过使用PrimeTime®Signoff和StarRC™提取技术实现ECO闭合,IC Compiler II 实现了对高度紧凑的单元库的支持。对于TSMC 5nm极紫外光刻(EUV)技术来说,通过部署非缺省规则处理和布线层优化的通用技术,最大限度地提高了寄生优化的新机会,从而创建出高度收敛的RTL-to-GDSII实现方案。

PrimeTime时序分析和Signoff认证解决方案中的先进技术,已扩展到整个数字实现平台,以实现面向TSMC 5nm工艺节点的快速增长市场的差异化设计。PrimeTime中的参数化片上偏差 (POCV) 分析得到了加强,可精确获取由于工艺缩放和低电压运行而导致的非线性变化,而这些手段过去常用于实现上述目标应用的能源效率。

TSMC 5nm认证还包括IC Validator物理验证Signoff,支持DRC、LVS和金属填充。TSMC发布设计规则的同时也发布运行集。TSMC和 Synopsys 之间的深度技术合作可实现先进的工艺特性,如新的多网格填充优化和LVS双层次抽取。

为了加速可靠的模拟定制和数模混合信号设计, HSPICE®仿真器以及 CustomSim™和 FineSim® FastSPICE 仿真器也都进行了优化,可支持TSMC 5nm FinFET工艺。该解决方案结合CustomSim先进的IR/EM 可靠性分析能力,加快了AMS验证,以支持可靠的AMS设计。

TSMC设计基础架构营销事业部资深处长Suk Lee表示: “我们与Synopsys在5nm工艺的合作可以为客户在设计过程中带来更高性能和更低功耗。为帮助客户在5nm工艺技术的支持下实现目标PPA,TSMC和Synopsys一直在广泛的设计风格上展开合作,以推动并让设计性能实现最大化。”

Synopsys设计事业群营销和业务开发副总裁Michael Jackson表示:“考虑到5nm工艺技术在规则和进步方面的复杂性,我们必须进一步提早开始与TSMC的合作周期。此外,我们还必须提早开始与早期5nm技术采用者的接触。新工艺节点正在以前所未有的速度引入,我们与TSMC的合作确保了企业设计人员能够在新节点上满怀信心地设计,同时最大限度地提高他们的投资回报。”

TSMC可提供Synopsys Design Platform技术文件、库和寄生参数,以便在5nm技术工艺中进行先期设计。获得TSMC 5nm FinFET工艺认证的 Synopsys Design Platform的主要产品和特点包括:

· IC Compiler II 布局和布线: 全自动、全着色布线及抽取支持,下一代布局和合法化技术以减少单元占板面积缩小,实现高设计利用率的高级合法化和引脚访问建模,以及实现通孔柱技术的流量部署,最大限度提高性能和器件产量;
· PrimeTime Signoff时间:低电压的高级建模;
· StarRC Signoff提取:FinFET 器件扩展的高级建模;
· IC Validator物理验证Signoff: 同时开发DRC、LVS和填充运行集,TSMC发布设计规则的同时也发布DRC 运行集;
· HSPICE,CustomSim和FineSim仿真解决方案: 采用Monte Carlo功能支持的FinFET 器件建模;提供精确电路仿真结果,可实现模拟、逻辑、高频和SRAM设计;
· Custom Compiler™自定义设计:支持TSMC 5nm新版图设计规则;
· NanoTime自定义时序分析:基于高级转换的POCV变量分析和增强信号完整性分析,优化嵌入式SRAM和自定义宏的入侵处理;
· ESP 自定义功能验证: 用于 SRAM、宏和库单元设计的晶体管级形式化等价性验证;
· CustomSim可靠性分析:用于高级 EM规则支持的精确动态晶体管级 IR/EM 分析。

 

 

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文章收入时间: 2018-05-28
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