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IC设计与制造
纳微在杭州开设研发中心拓展消费电子市场
出自:半导体应用

纳微半导体(Navitas)6月21日宣布,投入100多万美元在杭州开设新的GaNFast研发中心,以帮助合作伙伴和客户设计面向消费市场技术领先的电源转换器。
 
纳微首席执行官Gene Sheridan表示,“我们投资新的杭州GaNFast研发中心,通过世界级的尖端知识和合作实现新一代高频、高效、高密度电源系统,为中国客户提供更强大的技术支持。 结合半导体器件、系统级创新以及行业合作伙伴关系,我们可以携手重新塑造价值高达每年2000亿人民币的产业。”
 
纳微称,相比传统的硅MOS管方案,这些新设计能让体积缩小50%,重量减轻50%,可为移动应用终端提供快3倍的充电速度。纳微高级应用总监兼新研发中心负责人徐迎春介绍,“GaNFast研发中心拥有产品设计经验丰富的高水平应用工程师团队,将专注于开发高频、高效、高功率密度的电源系统,并协助客户充分发挥GaNFast功率IC的关键性能和优势。我们拥有开发新型先进电源架构的工具、技能和资源,同时能够确保开发高效率、优异的热性能和EMI性能等关键技术指标符合客户需求的可量产产品。”
纳微旗下的业界第一款GaNFast™功率IC能够同时实现MHz级频率和更高效率的电源设计,这些优异性能意味着移动快速充电器和适配器、LED电视、电动汽车/混合动力汽车、LED照明和新能源解决方案可采用更小、更轻、更低系统成本的功率转换技术。纳微首席技术官Dan Kinzer指出:“杭州是中国学术和创新的中心之一,与浙江大学电力电子中心和杭州、上海、苏州等周边客户的研究机构有着密切联系,占尽地利人和。纳微的愿景是利用性能出众的氮化镓功率器件创造出高频、高效、高密度的新型电源系统。”
 
将高性能的GaN FET与GaN逻辑和GaN模拟电路单片集成,是纳微半导体专有的工艺设计套件。据悉,今年下半年纳微半导体还将在杭州成立一家合资公司。

 

 

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文章收入时间: 2018-06-21
 
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