设为首页 设为首页 加入收藏 加入收藏 网站地图
[请登陆][免费注册]
搜 索

IC设计与制造
中国大陆区在芯片奥林匹克上再创佳绩
出自:大半导体产业网

 
在ICCAD 2018上举办的ISSCC 2019中国发布会上,据来自澳门大学的余成斌教授介绍,中国(除台湾地区)创记录共有18篇论文入选ISSCC 2019(其中澳门8篇、香港1篇、大陆9篇),而大陆的9篇中复旦大学3篇、清华大学2篇、上海交大和东南大学各1篇,ADI中国有2篇,这是ADI中国连续4年有提交论文入选。
 
 
在被录用的18篇论文内容涵盖电源管理、射频电路、数字架构和系统、数据转换器、模拟电路、数字电路、有线通信和存储器8个技术领域。来自东南大学的存储技术论文入选,是大陆史上首次突破。而从数量上来看,中国地区的论文数继2017年首次超越了日本后,今年又首次超过了中国台湾。
 
 
“国际固态电路会议”(ISSCC,俗称芯片奥林匹克)2019年度盛会将于2月17到21日在美国旧金山举行。中半协设计分会理事长魏少军到会致辞时表示,资本加技术中国IC发展的双轮驱动力,但缺乏技术能力一直未得到改善,低价竞争导致我们的IC产业基础并不牢固。因此,中国要积极参加一流水准学术报告,这是一个学习的好机会,所以协会要坚持推荐ISSCC,目的是使中国IC设计业水平得到不断提升。
 
 

 

0
文章收入时间: 2018-12-01
 
SEMI简介 | About SEMI | 联系我们 | Privacy Policy | semi.org
Copyright © 2018 SEMI®. All rights reserved.
沪ICP备06022522号
沪公网安备31011502000679号