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IC设计与制造
华虹半导体最新推出90纳米超低漏电嵌入式闪存工艺平台 助力大容量MCU解决方案
出自:大半导体产业网

华虹半导体有限公司今日宣布,最新推出90纳米超低漏电(Ultra-Low-Leakage,ULL)嵌入式闪存(eFlash)和电可擦可编程只读存储器(EEPROM)工艺平台,满足大容量微控制器(MCU)的需求。该工艺平台作为华虹半导体0.11微米超低漏电技术的延续,以更低的功耗和成本为客户提供具有竞争力的差异化解决方案,适用于物联网、可穿戴式设备、工业及汽车电子等方面的应用。  

 
新近推出的90纳米超低漏电嵌入式闪存工艺平台1.5V 核心N型和P型MOS晶体管漏电达到0.2pA/μm,可有效延长MCU设备的待机时间。该平台的嵌入式非易失性存储器(eNVM,Embedded Non-Volatile Memory)IP具有10万至50万次擦写次数、读取速度达30ns等独特优势。同时逻辑单元库集成度高,达到400K gate/mm2以上,能够帮助客户多方面缩小芯片面积。
 
该工艺平台的最大优势是集成了公司自有专利的分离栅NORD 嵌入式闪存技术,在90纳米工艺下拥有目前业界最小元胞尺寸和面积最小的嵌入式NOR flash IP,而且具有光罩层数少的优势,帮助客户进一步降低MCU、尤其是大容量MCU产品的制造成本。该平台同时支持射频(RF)、eFlash和EEPROM。
 
华虹半导体执行副总裁孔蔚然博士表示:“公司致力于差异化技术的创新和不断优化,为客户提供市场急需的、成本效益高的工艺和技术服务。在精进8英寸平台的同时,加快12英寸产线的产能扩充和技术研发。物联网、汽车电子是MCU应用的增量市场,此次90纳米超低漏电嵌入式闪存工艺平台的推出,进一步扩大了华虹半导体MCU客户群在超低功耗的市场应用领域的代工选择空间。”
 
 
 
 
 

 

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文章收入时间: 2020-08-27
 
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