6月28日消息，6月27日，芯片制造商安世半导体（Nexperia）宣布将投资2亿美元在汉堡开发和生产下一代碳化硅和氮化镓半导体，同时，增加二极管和晶体管的晶圆产能。

为了满足对高效功率半导体日益增长的长期需求，安世半导体将研发下一代宽禁带半导体产品（WBG），例如碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）。

安世半导体计划在未来两年内在该厂建立碳化硅和氮化镓芯片生产线。据了解，其中第一条高压D-Mode GaN晶体管和SiC二极管生产线已于2024年6月投入使用。下一个里程碑将是建立200毫米SiC MOSFET和低压GaN HEMT生产线。