2月28日,东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,最新推出东芝首批面向车载应用的4通道高速标准数字隔离器产品线——“DCM34xx01系列”。新系列包含10款器件,具有100 kV/μs(典型值)[1]的高共模瞬态抑制(CMTI)和50 Mbps(最大值)[2]的高速数据传输速率,支持稳定运行。所有器件均符合面向车载电子组件安全性和可靠性的AEC-Q100标准。该系列10款产品于今日开始支持批量出货。
为了确保混合动力汽车(HEV)和电动汽车(EV)中使用的车载充电器(OBC)和电池管理系统(BMS)的安全性和可靠性,需要能够确保隔离并防止噪声传播的器件。车载标准数字隔离器可为当前隔离设备所需的多通道高速通信和高CMTI提供解决方案。
新的隔离器采用东芝专有的磁耦合隔离传输方式,以实现100 kV/μs(典型值)的高CMTI。这不仅实现隔离信号传输中输入和输出间电气噪声的高容限,还确保了稳定的控制信号传输,有助于设备的稳定运行。此外,这些新产品还具有0.8 ns(典型值)[2]的低脉宽失真和50 Mbps(最大值)的数据传输速率,适用于多通道高速通信应用,例如具备SPI通信的I/O接口。
东芝的工业标准数字隔离器产品现已量产,目前其产品线扩展至车载设备领域。未来,东芝将增加这两个领域产品的封装类型和通道数量,并将继续提供高质量隔离器件和光耦,以支持车载设备所需的可靠性和实时数据传输。
· 应用:
车载设备
- 电池管理系统(BMS)
- 车载充电器(OBC)
- 逆变器控制
· 特性:
- 高共模瞬态抑制:CMTI=100 kV/μs(典型值)[1]
- 高速数据速率:tbps=50 Mbps(最大值)[2]
- 低脉宽失真:PWD=0.8 ns(典型值)
- 四通道支持(请参见具体器件的主要规格):
正向四通道,反向零通道;正向三通道,反向一通道;正向两通道,反向两通道
· 主要规格:
(除非另有说明,Topr=–40 °C至125 °C)
器件型号 |
|||||||||
通道数 (正向:反向) |
4 (3:1) |
||||||||
默认输出逻辑 |
低 |
高 |
低 |
高 |
|||||
使能控制 |
输出使能 |
输入禁用 |
|||||||
封装 |
SOIC16-W |
||||||||
绝对最大额定值 |
工作温度Topr(°C) |
–40至125 |
|||||||
存储温度Tstg(°C) |
–65至150 |
||||||||
隔离电压 BVS(Vrms) |
t=1分钟,Ta=25 °C |
最小值 |
5000 |
||||||
电气特性 |
共模瞬态抑制 CMTI(kV/μs) |
VDD1=VDD2=4.5 V至5.5 V, VCM=1500 V |
典型值 |
100 |
|||||
数据速率 tbps(Mbps) |
VDD1=VDD2=4.5 V至5.5 V |
最大值 |
50 |
||||||
脉宽失真 PWD(ns) |
典型值 |
0.8 |
|||||||
传输延迟时间 tPHL、tPLH(ns) |
10.9 |
||||||||
(除非另有说明,Topr=–40 °C至125 °C)
器件型号 |
|||||||
通道数 (正向:反向) |
4 (4:0) |
||||||
默认输出逻辑 |
低 |
高 |
低 |
高 |
|||
使能控制 |
无 |
输出使能 |
|||||
封装 |
SOIC16-W |
||||||
绝对最大额定值 |
工作温度Topr(°C) |
–40至125 |
|||||
存储温度Tstg(°C) |
–65至150 |
||||||
隔离电压 BVS(Vrms) |
t=1分钟,Ta=25 °C |
最小值 |
5000 |
||||
电气特性 |
共模瞬态抑制 CMTI(kV/μs) |
VDD1=VDD2=4.5 V至5.5 V,VCM=1500 V |
典型值 |
100 |
|||
数据速率 tbps(Mbps) |
VDD1=VDD2=4.5 V至5.5V |
最大值 |
50 |
||||
脉宽失真 PWD(ns) |
典型值 |
0.8 |
|||||
传输延迟时间 tPHL、tPLH(ns) |
10.9 |
(除非另有说明,Topr=–40 °C至125 °C)
器件型号 |
||||||
通道数 (正向:反向) |
4 (2:2) |
|||||
默认输出逻辑 |
低 |
高 |
||||
使能控制 |
输出使能 |
|||||
封装 |
SOIC16-W |
|||||
绝对最大额定值 |
工作温度Topr(°C) |
–40至125 |
||||
存储温度Tstg(°C) |
–65至150 |
|||||
隔离电压 BVS(Vrms) |
t=1分钟,Ta=25 °C |
最小值 |
5000 |
|||
电气特性 |
共模瞬态抑制 CMTI(kV/μs) |
VDD1=VDD2=4.5 V至5.5 V,VCM=1500 V |
典型值 |
100 |
||
数据速率 tbps(Mbps) |
VDD1=VDD2=4.5 V至5.5 V |
最大值 |
50 |
|||
脉宽失真 PWD(ns) |
典型值 |
0.8 |
||||
传输延迟时间 tPHL、tPLH(ns) |
10.9 |
|||||
注:
[1] 测试条件:VDD1=VDD2=4.5 V至5.5 V,VCM=1500 V,Topr=–40 °C至125 °C
[2] 测试条件:VDD1=VDD2=4.5 V至5.5 V,Topr=–40 °C至125 °C