总投资120亿元 士兰集宏8英寸SiC项目开工
2024-06-19 01:16:34 来源:eCar
士兰集宏8英寸SiC功率器件芯片制造生产线项目总投资120亿元,分两期建设,两期建成后将形成8英寸SiC功率器件芯片年产72万片的生产能力。

6月19日消息,18日上午,士兰集宏8英寸SiC功率器件芯片制造生产线在海沧区开工。

此次士兰集宏8英寸制造生产项目是继士兰集科“12英寸特色工艺芯片生产线”和士兰明镓“先进化合物半导体器件生产线”两个重要项目后,士兰微电子落地厦门海沧的第三个重要项目。

据了解,项目总投资120亿元,分两期建设,两期建成后将形成8英寸SiC功率器件芯片年产72万片的生产能力,生产的碳化硅芯片可广泛应用于光伏、储能、充电桩等功率逆变产品。

其中第一期项目总投资70亿元,预计在2025年三季度末实现初步通线,2025年四季度试生产并实现产出2万片的目标;2026年—2028年持续进行产能爬坡,最终将形成年产42万片8英寸SiC功率器件芯片的生产能力。

0