9月13日消息，近日，杭州镓仁半导体有限公司（简称“镓仁半导体”）公布了其在氧化镓衬底加工技术上的重大突破。

镓仁半导体成功研制出超薄6英寸衬底，且衬底厚度小于200微米。

镓仁半导体指出，氧化镓（β-Ga2O3）具有禁带宽度大、击穿场强高、Baliga品质因数大等优势，在高压、大功率、高效率、小体积电子器件方面具有巨大的应用潜力，能够极大地降低器件工作时的电能损耗，有望成为未来半导体电力电子领域的主力军。

然而，氧化镓热导率较低，会加重器件的自热效应，大量热量积累在器件内部，会导致器件性能退化，使其在高功率领域的应用受到极大的限制。减薄衬底厚度，能够使器件产生的热量通过衬底散出，增强器件的散热能力，提高器件性能。

超薄6英寸衬底为高性能器件的制备提供了一种新选择，满足功率器件领域的科研与生产需求，促进业内产学研协同合作。