4月11日消息,日本半导体企业罗姆ROHM当地时间28日宣布同日本车企马自达开始联合开发采用氮化镓 (GaN) 功率半导体的汽车零部件。两家企业此前已在基于碳化硅 (SiC) 功率半导体的逆变器上展开了开发合作。
氮化镓功率半导体具有降低损耗、支持高频驱动及小型化等优势,两家企业计划借此优化整车设计、轻量化及布局,并力争在2027年度实现实际应用。
此前,双方已在碳化硅(SiC)功率半导体逆变器领域展开合作。
4月11日消息,日本半导体企业罗姆ROHM当地时间28日宣布同日本车企马自达开始联合开发采用氮化镓 (GaN) 功率半导体的汽车零部件。两家企业此前已在基于碳化硅 (SiC) 功率半导体的逆变器上展开了开发合作。
氮化镓功率半导体具有降低损耗、支持高频驱动及小型化等优势,两家企业计划借此优化整车设计、轻量化及布局,并力争在2027年度实现实际应用。
此前,双方已在碳化硅(SiC)功率半导体逆变器领域展开合作。