西电广州研究院与广东致能科技公司联合攻克了≥1200V超薄GaN缓冲层外延、p-GaN栅HEMTs设计与制造、可靠性加固、高硬度材料封测等整套量产技术。

安世半导体将投资2亿美元在汉堡开发和生产下一代碳化硅和氮化镓半导体，同时，增加二极管和晶体管的晶圆产能。

安森美 (onsemi) 将实施高达 20 亿美元的多年投资计划，巩固其面向欧洲和全球客户的先进功率半导体供应链。

士兰集宏8英寸SiC功率器件芯片制造生产线项目总投资120亿元，分两期建设，两期建成后将形成8英寸SiC功率器件芯片年产72万片的生产能力。

英飞凌已完成位于马来西亚居林的200mm碳化硅（SiC）功率晶圆厂的第一阶段建设。

ST将在意大利卡塔尼亚新建8英寸碳化硅功率器件和模块大规模制造及封测综合基地。

摘要：本文提出一个用尺寸紧凑、高成本效益的DC/AC逆变器分析碳化硅功率模块内并联裸片之间的热失衡问题的解决方案，该分析方法是采用红外热像仪直接测量每颗裸片在连续工作时的温度，分析两个电驱逆变模块验证，该测温系统的验证方法是，根据栅源电压阈值选择每个模块内的裸片。我们将从实验数据中提取一个数学模型，根据Vth 选择标准，预测当逆变器工作在电动汽车常用的电压和功率范围内时的热不平衡现象。此外，我们还能够延长测试时间，以便分析在电动汽车生命周期典型电流负荷下的芯片行为。测试结果表明，根据阈压为模块选择适合的裸片可以优化散热性能，减少热失衡现象。

EYEQ Lab计划投资1000亿韩元（约5.3亿人民币）建设8英寸SiC功率半导体晶圆厂，工厂规划产能为14.4万片/年，投产时间预计为2025年9月。

日前，捷捷微电与浙江晶能签署战略合作协议，加强在工控IGBT领域的战略合作。

新型发动机力争实现与电机、电池等电驱动单元的最佳组合。